UPA803T Datenblatt(PDF) - NEC

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UPA803T Datenblatt (PDF) - NEC

UPA803T Datasheet PDF - NEC


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UPA803T Produktdetails

µPA803T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

FEATURES
• High fT
    fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)
• Small Collector Capacitance
    Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)
• A Surface Mounting Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)

Ähnliche Teilenummer - UPA803T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
California Eastern Labs	UPA800T	192Kb / 9P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA800T	211Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA800T	446Kb / 8P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NEC	UPA800T-T1	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

Ähnliche Beschreibung - UPA803T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA802T	53Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA806T	49Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA807T	56Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA808T	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA809T	66Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA813T	53Kb / 8P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
	UPA833TF	74Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
	UPC805T	57Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SC1623-T1B-A	229Kb / 7P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

Über NEC

Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

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