MCTG35P60F1 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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MCTG35P60F1 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

MCTG35P60F1 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)

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MCTG35P60F1 Produktdetails

Description
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching currents on and off by negative and positive pulsed control of an insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls, inverters, line switches and other power switching applications.
The MCT is especially suited for resonant (zero voltage or zero current switching) applications. The SCR like forward drop greatly reduces conduction power loss.
MCTs allow the control of high power circuits with very small amounts of input energy. They feature the high peak current capability common to SCR type thyristors, and operate at junction temperatures up to +150oC with active switching.

Features
• 35A, -600V
• VTM = -1.3V(Maximum) at I = 35A and +150°C
• 800A Surge Current Capability
• 800A/µs di/dt Capability
• MOS Insulated Gate Control
• 50A Gate Turn-Off Capability at +150°C

Ähnliche Teilenummer - MCTG35P60F1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
MERITEK ELECTRONICS COR...	MCT	120Kb / 1P	Cement Resistor With Thermal Cut-Off
Conquer Electronics Co....	MCT	196Kb / 1P	8.35 x 3.95 x 5.0 mm
Magnelab.	MCT-0016-005	230Kb / 1P	Split-Core AC Current 4 to 20 mA Transducer MCT-0016-XXX, 4 to 20mA DC Output
	MCT-0016-010	230Kb / 1P	Split-Core AC Current 4 to 20 mA Transducer MCT-0016-XXX, 4 to 20mA DC Output
	MCT-0016-020	230Kb / 1P	Split-Core AC Current 4 to 20 mA Transducer MCT-0016-XXX, 4 to 20mA DC Output

Ähnliche Beschreibung - MCTG35P60F1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Hamamatsu Corporation	P2748	172Kb / 4P	MCT photoconductive detector
Intersil Corporation	MCT3A65P100F2	67Kb / 8P	65A, 1000V, P-Type MOS-Controlled Thyristor (MCT) April 1999
	MCTV35P60F1D	53Kb / 5P	35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode April 1999
	MCTV65P100F1	46Kb / 5P	65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) April 1999
	MCTV75P60E1	50Kb / 5P	75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) April 1999
Vicor Corporation	05963	50Kb / 1P	BRIDGE RECTIFIER, 600V, 35A
TAITRON Components Inco...	ARS2535	108Kb / 3P	35A Controlled Avalanche TVS
Rohm	R6035ENZ	982Kb / 13P	Nch 600V 35A Power MOSFET
	R6035KNZ	1Mb / 16P	Nch 600V 35A Power MOSFET
	R6035KNZ1	1Mb / 16P	Nch 600V 35A Power MOSFET

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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