MCTV65P100F1 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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MCTV65P100F1 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

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65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)

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Bauteilbeschribung	65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)

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MCTV65P100F1 Produktdetails

Description
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching currents on and off by negative and positive voltage control of an insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls, inverters, line switches and other power switching applications.

Features
• 65A, -1000V
• VTM ≤ -1.4V at I = 65A and +150°C
• 2000A Surge Current Capability
• 2000A/µs di/dt Capability
• MOS Insulated Gate Control
• 100A Gate Turn-Off Capability at +150°C

Ähnliche Teilenummer - MCTV65P100F1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	MCTV35P60F1D	53Kb / 5P	35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode April 1999
Intersil Corporation	MCTV75P60E1	50Kb / 5P	75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) April 1999
Texas Instruments	MCTV8376ZS-Q1	2Mb / 77P	MCT8376Z-Q1 Sensored Trapezoidal Integrated FET BLDC Motor Driver DECEMBER 2025

Ähnliche Beschreibung - MCTV65P100F1

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Hamamatsu Corporation	P2748	172Kb / 4P	MCT photoconductive detector
Intersil Corporation	MCT3A65P100F2	67Kb / 8P	65A, 1000V, P-Type MOS-Controlled Thyristor (MCT) April 1999
	MCTG35P60F1	50Kb / 5P	35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) April 1999
	MCTV35P60F1D	53Kb / 5P	35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode April 1999
	MCTV75P60E1	50Kb / 5P	75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) April 1999
Toshiba Semiconductor	TPC8106-H	512Kb / 7P	SILICON P CHANNEL MOS TYPE
	TPCP8302	272Kb / 7P	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS??
	TPC8127	222Kb / 7P	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS??
	TPCA8109	238Kb / 7P	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS??
Unisonic Technologies	UTT65P04	132Kb / 3P	65A, 40V P-CHANNEL POWER MOSFET

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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