RFP2N20 Datenblatt(PDF) - Intersil Corporation

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RFP2N20 Datenblatt (PDF) - Intersil Corporation

RFP2N20 Datasheet PDF - Intersil Corporation


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2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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Bauteilbeschribung	2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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RFP2N20 Produktdetails

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA09289

Features
• 2A, 200V
• rDS(ON) = 3.500Ω

Ähnliche Teilenummer - RFP2N20

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Inchange Semiconductor ...	RFP2N20	348Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Intersil Corporation	RFP2N20L	35Kb / 5P	2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N20L	92Kb / 2P	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET)
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N20L	92Kb / 2P	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET)

Ähnliche Beschreibung - RFP2N20

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	IRF250	57Kb / 7P	30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRF610	55Kb / 7P	3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET June 1999
	IRFD210	52Kb / 6P	0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD220	51Kb / 6P	0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFF210	325Kb / 7P	2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFF230	327Kb / 7P	5.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFPG40	46Kb / 6P	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP2N20L	35Kb / 5P	2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP2P08	39Kb / 5P	-2A, -80V and -100V, 3.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1998
Fairchild Semiconductor	IRFD220	91Kb / 7P	0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

Über Intersil Corporation

Die Intersil Corporation war eine amerikanische Halbleiterfirma, die sich auf die Konstruktion und Herstellung von analogen und gemischten integrierten Schaltkreisen mit leistungsstarken und gemischten Signal-Signal spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1967 gegründet und war bekannt für sein Know -how in Bezug auf die Technologien des Stromverwaltung, Datenumwandlungsunternehmens und Funkfrequenz (RF).
Die Produkte von Intersil wurden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Industrie, Telekommunikation sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung verwendet.
Im Jahr 2016 wurde Intersil von der Renesas Electronics Corporation, einer japanischen Halbleiterfirma, übernommen.
Die Marke und Technologie von Intersil werden im Rahmen des Produktportfolios von Renesas weiterentwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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