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IRC640 Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IRC640 Datasheet PDF - International Rectifier
Teilenummer IRC640
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Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)

IRC640 Datasheet (PDF)

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Hersteller  IRF [International Rectifier]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)

IRC640 Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRC640 Produktdetails

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dv/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Current Sense
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple drive Requirements




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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