IRF640 Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF640 Datenblatt (PDF) - International Rectifier

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IRF640 Produktdetails

Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements

Ähnliche Teilenummer - IRF640

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF640	95Kb / 9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF640	107Kb / 9P	N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET Oct-1999
Fairchild Semiconductor	IRF640	140Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
	IRF640	132Kb / 7P	18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	IRF640	916Kb / 10P	200V N-Channel MOSFET

Ähnliche Beschreibung - IRF640

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRC640	228Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
	IRF5Y31N20	99Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.092ohm, Id=18A*)
	IRF640N	155Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
	IRF640S	228Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
	IRF9Z34S	334Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A)
	IRFI640G	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.8A)
	IRFN240	223Kb / 6P	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
	IRFP240	165Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A)
	IRFR13N15D	128Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
	IRLI640G	332Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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