IRF520N Datenblatt(PDF) - International Rectifier

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IRF520N Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRF520N Datasheet PDF - International Rectifier


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Hersteller	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)

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IRF520N Produktdetails

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

Ähnliche Teilenummer - IRF520N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Inchange Semiconductor ...	IRF520N	294Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520NL	195Kb / 11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF520NL	1Mb / 10P	Low-profile through-hole (IRF520NL)
Inchange Semiconductor ...	IRF520NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520NLPBF	405Kb / 10P	Advamced {rpcess Technology Surface Mount

Ähnliche Beschreibung - IRF520N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRF1010NS	146Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??
	IRF520NS	185Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
	IRFP250N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
	IRFP254	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFR014	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
	IRLI530GPBF	937Kb / 7P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )
	IRFL4310PBF	662Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A )
TRANSYS Electronics Lim...	IRF840	152Kb / 1P	Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A )
International Rectifier	IRLI530G	175Kb / 6P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )

Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

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