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MS2475 Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation
MS2475 Datasheet PDF - Microsemi Corporation
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MS2475 Datasheet (PDF)

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MS2475 Datenblatt (HTML) - Microsemi Corporation


MS2475 Produktdetails

DESCRIPTION:
The MS2475 is a silicon NPN power transistor designed for IFF applications. The MS2475 is designed to exceed the high peak power requirements of todays IFF systems. Hermetic sealing, gold metalization and internal input matching provide superior long term reliability and broadband performance.

Features
• DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF
• 720 WATTS (min.) IFF 1030 or 1090 MHz
• REFRACTORY GOLD METALLIZATION
• 6.8 dB MIN. GAIN
• LOW THERMAL RESISTANCE FOR RELIABILTY AND RUGGEDNESS
• 30:1 LOAD VSWR CAPABILITY AT SPECIFIED OPERATING CONDITIONS
• INPUT MATCHED, COMMON BASE CONFIGURATION




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Über Microsemi Corporation

Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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