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PTF080601A Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF080601A Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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Bauteilbeschribung LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601A Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

PTF080601A Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080601A Produktdetails

Description
The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
- Average output power = 30W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 90W
- Gain = 17dB
- Efficiency = 60%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28V, 60 W (CW) output power




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Über Infineon Technologies AG


Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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