2SC1975 Datenblatt(PDF)

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2SC1975 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC1975 Produktdetails

DESCRIPTION
• Collector-Base Breakdown Voltage : V(BR)CBO=160V(Min)
• Withstands worst overload conditions.

APPLICATIONS
• Design for used in transceiver power output applications

Ähnliche Beschreibung - 2SC1975

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
DB Lectro Inc	NV2R	464Kb / 2P	Withstands high temperature, operating under 105 ambient temperature
	NV23K	393Kb / 2P	Withstands high temperature, operating under 105 ambient temperature
	NV231	389Kb / 2P	Withstands high temperature, operating under 105 ambient temperature
List of Unclassifed Man...	3B-850A	192Kb / 4P	TYPICAL OPERATIONG CONDITIONS
List of Unclassifed Man...	SP-K4	500Kb / 2P	Withstands high voltages
STMicroelectronics	STM8L151X6	2Mb / 146P	Operating conditions 15-Feb-2017
	STM8TL52X4	1Mb / 84P	Operating conditions 01-Jul-2015
	STM32F358XC	2Mb / 134P	Operating conditions 17-Apr-2015
Cornell Dubilier Electr...	MLSG-S	223Kb / 7P	Withstands more than 80,000 feet altitude
Maxim Integrated Produc...	MAX14915EVKIT	1Mb / 13P	Open-wire, Overload, Undervoltage, Overcurrent, Thermal Shutdown Fault Conditions Indication Rev 0; 9/18

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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