IXBH9N140G Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH9N140G Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH9N140G Produktdetails

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

N-Channel, Enhancement Mode MOSFET compatible

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
   - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs
   - lower effective RDS(on)
• MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
   - MOSFET compatible for 10V turn on gate voltage
• Monolithic construction
   - high blocking voltage capability
   - very fast turn-off characteristics
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Reverse conducting capability

Applications
• Flyback converters
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• CRT deflection
• Lamp ballasts

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Ähnliche Teilenummer - IXBH9N140G

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Ähnliche Beschreibung - IXBH9N140G

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN75N170A	91Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH42N170A	119Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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