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STB33N60M2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.108 Ω typ., 26 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package

STB33N60M2 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.108 Ω typ., 26 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package

STB33N60M2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60M2 Produktdetails

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. 1 3 TAB D PAK 2 AM15572v1 , TAB

Features
■ Extremely low gate charge
■ Lower RDS(on) x area vs previous generation
■ MDmesh™ II technology
■ Low gate input resistance
■ 100% avalanche tested
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications
■ LCC converters, resonant converters




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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