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STB100N6F7 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB100N6F7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 60 V, 4.7 mΩ typ.,100 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a D²PAK package

STB100N6F7 Datasheet (PDF)

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STB100N6F7 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB100N6F7 Produktdetails

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. disarmamentY ' 7$% * 6 disarmament

Features
■ Among the lowest RDS(on) on the market
■ Excellent figure of merit (FoM)
■ Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
■ High avalanche ruggedness

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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