STGD19N40LZ Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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STGD19N40LZ Produktdetails

Description
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gateemitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems. DPAK 1 3 TAB C (2 or TAB) E (3) G (1) RG RGE SC30180

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH
■ ESD gate-emitter protection
■ Gate-collector high voltage clamping
■ Logic level gate drive
■ Low saturation voltage
■ High pulsed current capability
■ Gate and gate-emitter resistor

Applications
■ Pencil coil electronic ignition driver

Ähnliche Teilenummer - STGD19N40LZ

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STMicroelectronics	STGD10HF60KD	760Kb / 21P	Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode 15-Sep-2015
	STGD10NC60H	428Kb / 14P	N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH??IGBT 02-Apr-2007
	STGD10NC60HDT4	774Kb / 19P	600 V - 10 A - very fast IGBT 16-Dec-2008
	STGD10NC60HDT4	771Kb / 19P	600 V - 10 A - very fast IGBT 16-Dec-2008
	STGD10NC60K	599Kb / 17P	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT 08-Feb-2007

Ähnliche Beschreibung - STGD19N40LZ

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	STGB18N40LZT4	575Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 11-Jan-2021
	STGD18N40LZT4	466Kb / 16P	Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ 20-Jan-2021

Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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