L412 Datenblatt(PDF) - IXYS Corporation

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L412 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

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L412 Produktdetails

High Voltage BIMOSFET™ in High Voltage ISOPLUS i4-PAC™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
    - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop
    - fast switching for high frequency operation
    - reverse conduction capability
• ISOPLUS i4-PACTM high voltage package
    - isolated back surface
    - enlarged creepage towards heatsink
    - enlarged creepage between high voltage pins
    - application friendly pinout
    - high reliability
    - industry standard outline

Applications
• switched mode power supplies
• DC-DC converters
• resonant converters
• lamp ballasts
• laser generators, x ray generators

Ähnliche Teilenummer - L412

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Connor-Winfield Corpora...	L412-155.52	119Kb / 2P	5.0x7.0mm Surface Mount LVDS Clock Oscillator Series
Unisonic Technologies	L4120	159Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	LED open-circuit protection
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER

Ähnliche Beschreibung - L412

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
IXYS Corporation	IXBH9N140G	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF40N140	99Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Über IXYS Corporation

Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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