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Hersteller

2SC3356 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	2SC3356	102Kb/8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Renesas Technology Corp	2SC3356	200Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
Renesas Technology Corp	2SC3356	189Kb/9P	NPN Silicon RF Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb/3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb/3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	1Mb/4P	NPN Transistors Rev:2022A2
Unisonic Technologies	2SC3356	211Kb/4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
Jinan Jing Heng Electro...	2SC3356	634Kb/4P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Yea Shin Technology Co....	2SC3356	860Kb/4P	Low Noise and High Gain
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,...	2SC3356	54Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Guilin Strong Micro-Ele...	2SC3356	282Kb/3P	SOT-23
California Eastern Labs	2SC3356	1Mb/9P	NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb/3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC3356	128Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Galaxy Semi-Conductor H...	2SC3356	166Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC3356	614Kb/6P	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
Shenzhen Luguang Electr...	2SC3356	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SC3356	485Kb/4P	NPN Transistors
SHIKUES Electronics	2SC3356	1Mb/5P	NPN Silicon RF Transistor

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Kurze Beschreibung von 2SC3356

Das 2Sc3356 ist eine Teilbezeichnung, die typischerweise für einen NPN -Bipolar -Junction -Transistor (BJT) verwendet wird. Es handelt sich um einen kleinen Signaltransistor, der häufig bei Amplifikation und Schaltanwendungen mit geringer Leistung verwendet wird.

Hier sind einige allgemeine Spezifikationen für den 2SC3356 -Transistor:

Maximale Collector-Base-Spannung (VCBO): Typischerweise etwa 25 Volt
Maximale Sammler-Emitter-Spannung (VCEO): Typischerweise etwa 20 Volt
Maximale Emitterbasisspannung (VEBO): Typischerweise etwa 4 Volt
Maximaler Kollektorstrom (IC): Typischerweise ca. 50 mA
Maximal Power Dissipation (PD): Typischerweise etwa 150 MW
Packungstyp: Typischerweise SOT-23 (ein kleiner Oberflächenmontiertransistor-Umrisspaket)
Der 2SC3356-Transistor wird üblicherweise in Anwendungen wie Audioverstärkern, Schaltschaltkreisen und allgemeinen Schaltkreisen mit geringer Leistung verwendet.

Äquivalent für 2SC3356

Ein geeigneter Ersatz für den 2SC3356 -Transistor ist der 2SC3355. Der 2SC3355 ist ein komplementärer NPN -Transistor, der ähnliche elektrische Merkmale und Packungstypen mit dem 2SC3356 aufweist.

Hier sind einige wichtige Ähnlichkeiten zwischen den Transistoren 2SC3356 und 2SC3355:

Transistortyp: Sowohl die 2SC3356- als auch die 2SC3355 -Transistoren sind NPN -Bipolar -Junction -Transistoren (BJTs).

Spannungs- und Strombewertungen: Die Spannungs- und Strombewertungen der Transistoren der 2SC3356- und 2SC3355 sind vergleichbar. Beide Transistoren haben einen ähnlichen maximalen Kollektorstrom (IC) und maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO).

Paketyp: Die Transistoren der 2SC3356- und 2SC3355 sind in der Regel im gleichen Pakettyp erhältlich, z. B. bis 92 oder SOT-23. Diese Pakete sind üblich und für allgemeine Anwendungen geeignet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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