IRF630 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF630 Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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Kurze Beschreibung von IRF630

Der IRF630 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für den Einsatz in Mittelspannungsschalt- und -verstärkungsanwendungen, darunter Stromversorgungen, Motortreiber, DC/DC-Wandler und Audioverstärker. Der von International Rectifier (jetzt Teil von Infineon Technologies) und anderen Herstellern hergestellte IRF630 wird für seine Zuverlässigkeit, gute Schaltgeschwindigkeit und vielseitige Leistung in der Industrie- und Unterhaltungselektronik geschätzt.

Dieser MOSFET ist für eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von 200 V ausgelegt und kann bei ausreichender Kühlung Dauer-Drainströme bis zu 9 A verarbeiten. Sein typischer Einschaltwiderstand (R_DS(on)) von ca. 0,4 Ohm trägt dazu bei, Leistungsverluste und Wärmeentwicklung in Schaltanwendungen zu reduzieren. Dank schneller Schaltzeiten und einer relativ geringen Gate-Ladung eignet sich der IRF630 für mittelschnelle Schaltungen, die eine effiziente Leistungsregelung erfordern.

Der IRF630 ist im beliebten TO-220-Gehäuse untergebracht, bietet eine solide Wärmeableitung und lässt sich leicht auf Kühlkörpern montieren. Dadurch eignet er sich für Designs mit moderater Verlustleistung. Obwohl er kein Logikpegel-MOSFET ist, eignet er sich gut für Schaltungen mit einer höheren Gate-Ansteuerspannung (typischerweise ca. 10 V).

Der IRF630 ist ein vielseitiger und weit verbreiteter N-Kanal-MOSFET, der eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Schaltaufgaben mit mittlerer Spannung und mittlerem Strom in einer Vielzahl elektronischer Anwendungen bietet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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