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STFW8N120K5 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STFW8N120K5 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STFW8N120K5 Produktdetails

Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5
technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a
dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications
requiring superior power density and high efficiency.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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