STW8N120K5 Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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STW8N120K5 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STW8N120K5 Produktdetails

Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5
technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a
dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications
requiring superior power density and high efficiency.

Ähnliche Teilenummer - STW8N120K5

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	STW8N80	345Kb / 7P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS May-1993
Inchange Semiconductor ...	STW8N80	351Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	STW8N90K5	729Kb / 12P	Switching applications November 2016 Rev 1
STMicroelectronics	STW8NA60	124Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Oct-1998
Inchange Semiconductor ...	STW8NA60	351Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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