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STH360N4F6-2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STH360N4F6-2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 40 V, 180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in H²PAK-2 package

STH360N4F6-2 Datasheet (PDF)

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STH360N4F6-2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STH360N4F6-2 Produktdetails

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

Features
■ Low gate charge
■ Very low on-resistance
■ High avalanche ruggedness

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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