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STH400N4F6-2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STH400N4F6-2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 mΩ typ.,180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFETs

STH400N4F6-2 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 mΩ typ.,180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFETs

STH400N4F6-2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STH400N4F6-2 Produktdetails

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages. H2PAK-2 1 2 3 TAB H2PAK-6 1 TAB 7 D(TAB) G(1) S(2, 3) S(2, 3, 4, 5, 6, 7) G(1) D(TAB) H2PAK-2 H2PAK-6 AM14551V1

Features
■ Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
■ Low gate charge
■ Very low on-resistance
■ High avalanche ruggedness

Applications
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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