TP5602B datasheet(12/22 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

NanJing Top Power ASIC Corp.

REV_2.1

电池电流设置示表(客户须以实测为准，下

表为我司演示版测试值)

Rsb

毫

欧

充电

限流

(A)

V_Ilmt=

R8/(R7+R8)

Iout(A)

(vout=4.8@

VB=4.2)

Iout(A)

(vout=4.8@

VB=3.6)

1.0

0.5

1.9A

1.76A

1.0

0.12

1.0A

0.90A

1.0

0.8A

0.77A

0.5

3.5A

3.40A

0.1

2.0A

1.90A

1.6A

1.49A

0.5

0.1

3.0A

2.94A

2.5A

2.34A

V-Ilmt (引脚 16)：电池放电电流设置

端。

充电时，该端口不起作用，放电时

设置不同的电压初始值 0-1V，(内部有

1V 嵌位电路)。可以改变电池放电最大

限流倍数。如果通过分压电阻取样

VIO，可以得到随 VIO 调制的输入限

流值(与 Rsb 共同作用)，从而保持输出

电流恒定不变。

key~ (引脚 17)：升压模式端口 1

外部按键，低脉冲有效。按键后可

启动升压模式(当 auto_up=低)：

如 VBAT≤3V；或 VIO 短路过流

等，则 LED 异常报警闪 6 次后自动待

机，不升压。

如 VBAT>3V 则电量指示灯显示约

5 秒后熄灭。VIO 输出 5V 电源。再次

按键 key~重新显示电量 5 秒。如果连

续输出轻载，(如 Iout≤30mA)，约 10

秒后自动停止，转为待机模式，电池

耗电≤6uA。

长按按键 2.5S 升压停机。

dn~_up（引脚 19）

：多用途保护

PMOS1 的栅输入。也是工作状态指示

口：

dn~_up=0 充电模式，为同步降压

模式，外接 PMOS1 导通（方案图 3），

PMOS2 为充电开关管，NMOS 为降压

同步管。

当系统损坏如 PMOS2 穿通等引起

VBAT≥4.3V 过压，保护电路起作用：

dn~_up=高阻态，通过外加 1M 电阻上

拉到 VIN 保护管 PMOS1 强制关闭，

停止充电。

外接

C7=0.1uF

电容防止

VBAT=0V 时，可能出现的充电不启动

dn~_up=VIO(5V) 升压模式，

PMOS1 关闭，NMOS 为放电开关管，

PMOS2 为升压同步管。

VREG（引脚 20）：内部电源 3。

VREG 是一个内部二级电源，它外

接一个 0.1uF 旁路电容到地。

VREG ≈ 4.0V 。只有在工作时启

动，待机时为 0V。

EXT（引脚 21）：外置 NMOS 栅驱动

端。

外扩一个功率 NMOS，开关信号，

CMOS 输出，高电平为 VIO，低电平

为 0。最大可驱动 Cg=2000p 的 NMOS

功率管。

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