TP5602B datasheet(15/22 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

NanJing Top Power ASIC Corp.

REV_2.1

待机模式下可以再次升压(key~键

低电平脉冲触发)，也可以自动进入充

电(VIN >4.3V)待机模式下，VIO，VIN

与 VBAT 完全隔离，芯片系统耗电仅

仅 6uA。

升压时需要手动或外部控制停止

不管是否轻载，用户可以将

auto_up 端口通过开关或电阻上拉到高

电平 Vint2。升压即停止，key~键不起

作用，此时为待机状态，可以进入充

电模式；auto_up 变低后，芯片又自动

回到升压状态(不管是否按下 key~键)。

CPU 控制停机的接法：

CPU 开漏 NMOS 口输出上拉 3M

欧姆的电阻接 auto_up 与 Vint2 之间。

大电阻 3M 电阻是为了降低电池待机

电流。

Key~引脚控制停机方法：

典型电路中 KEY2 长按 2.5S 即可

实现升压停机。

VIO 和输出电流：

芯片内部有 VIO=5V 固定输出的

的取样电阻，用户无须外部调整电阻。

输出最大电流有 Rsb 和 V_Ilmt 的值决

定，(见 VS 端口的设置)。最大充电电

流有 Rsb 设置，与 V_Ilmt 无关；

电池最大放电电流由 V_Ilmt 外部

设置为 1-4 倍(对应 0V-1V V_Ilmt)的

最大充电电流。升压时加上内置的

VBAT 电压和 VIO 调制作用以及升压

效率(典型 93.5%)共同决定 IOUT 的最大

值。VIO=5V 下降到 VBAT，IOUT 上升。

VIO 不变，VBAT 降低，IOUT 下降。

VIO 连续 250mS 小于 VBAT，则

表示输出过载或短路，内部自动停机

保护，并 6 次闪灯报警过载。

电池欠压保护：

升压时，如果电池电压<3V，则自

动停机，并闪灯 6 次报警欠压。

如果电池电压<2.4V 为防止锂电池

损坏，芯片内部全部关机并处于锁定

状态。电池电流降到 1uA 以下，外部

按键无效。以后即使电池电压回到

2.4V 以上也不会解锁工作，只有 VIN

加高电平后充电一次自动复位，才可

解除锁定。

(注意：在工程师测试芯片或生产

时，如果 VBAT 短时移处，可能出现

由于 CBAT 的电容电压<2.4V 停机锁定

造成 VBAT 再加电时不工作现象，只

需要 VIN 上电一下，或将 CBAT 的电容

放电到 0 再 VBAT 上电复位也可)。

芯片内部热限制

无论是充电还是放电模式，如果芯

片温度试图升至约 145℃的预设值以

上，则一个内部热反馈环路将减小设

定的电池电流。该功能可防止 TP5602

过热，并允许用户提高给定电路板功

率处理能力的上限而没有损坏 TP5602

的风险。在系统芯片保证将在最坏情

况条件下自动减小电流的前提下，可

根据典型（而不是最坏情况）环境温

度来设定充/放电电流。

输入 VIN、输出 VIO、VS、VBAT 端

电容

可以使用多种类型瓷片电容器，但

需要高品质的功率电容。最好另加一

个 0.1uF 的瓷片电容进行旁路，并且连

接位置务必紧靠近芯片引脚。其他端

口电容可以使用非功率小型瓷片电

容。

TP5602B Datenblatt(PDF) 15 Page - Billiton Ltd.

TP5602B Datenblatt(HTML) 15 Page - Billiton Ltd.

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