IRF520 Datenblatt, PDF - Datasheet Search Engine

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Hersteller

IRF520 Datenblatt, PDF

Suche Teilenummer : entspricht Summe, beginnt mit Summe "IRF520" - Total : 55 ( 1/3 Page)

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	IRF520	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Vishay Siliconix	IRF520	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF520	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF520	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF520	69Kb/7P	9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF520	798Kb/3P	IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Fairchild Semiconductor	IRF520	166Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF520	338Kb/5P	N-Channel Power Mosfets,
Supertex, Inc	IRF520	74Kb/2P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
SYC Electronica	IRF520	221Kb/8P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier	IRF520	183Kb/6P	HEXFET® Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF520	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF520A	243Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	IRF520FI	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Inchange Semiconductor ...	IRF520FI	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520L	185Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

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Kurze Beschreibung von IRF520

Der IRF520 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) für Schalt- und Verstärkungsanwendungen mittlerer Leistung. Der von International Rectifier hergestellte und von verschiedenen Herstellern erhältliche IRF520 wird häufig in Gleichstrommotorsteuerungen, LED-Beleuchtungen, Relaistreibern und Stromversorgungsschaltungen eingesetzt.

Der IRF520 kann eine Drain-Source-Spannung (V_DS) von bis zu 100 V und einen Dauer-Drain-Strom (I_D) von bis zu 9,2 A (bei entsprechender Wärmeableitung) verarbeiten. Sein typischer R_DS(on) beträgt ca. 0,27 Ohm und ermöglicht so eine effiziente Stromleitung im eingeschalteten Zustand. Das Standard-TO-220-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung und eignet sich daher für eine Vielzahl von Durchsteckanwendungen.

Obwohl der IRF520 häufig in Hobbyprojekten, insbesondere über IRF520-Breakout-Boards, eingesetzt wird, ist zu beachten, dass es sich beim IRF520 nicht um einen Logik-MOSFET handelt. Das bedeutet, dass er mit einem 5-V-Logiksignal von einem Arduino oder einem anderen Mikrocontroller möglicherweise nicht ohne Leistungsverlust vollständig durchschaltet. Für Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad bei niedrigen Gate-Spannungen erfordern, ist ein Logik-MOSFET wie der IRLZ44N oft die bessere Wahl.

Insgesamt ist der IRF520 ein weit verbreiteter und zuverlässiger Leistungstransistor für Schalt- und Leistungsregelungsanwendungen mit mittlerer Spannung und Stromstärke, insbesondere in der Bildungs- und Hobbyelektronik.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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