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H30R1602 Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG
H30R1602 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
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Bauteilbeschribung TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

H30R1602 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

H30R1602 Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


H30R1602 Produktdetails

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

Features:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers :
   - very tight parameter distribution
   - high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
   positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications




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Über Infineon Technologies AG

Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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